Студийные мониторы

Цена за 1 монитор Частотный диапазон: 35 Hz - 20 kHz (-3 dB). Макс. звуковое давление: 113 dB (1 m). Вольтаж: 100 - 240 V~, 50/60 Hz. Потребляемая мощность: 200 W. Кроссовер высокой точности. Эффективная защита от перегрузки с помощью лимитера.

Активный 2- х полосный студийный монитор ближнего поля (1,1" и 8").

Активный 3-х полосный монитор ближнего/среднего поля

Активный 3-х полосный монитор ближнего/среднего поля

Цена за 1 монитор! NEKKST K8 невероятная референс система с двойной системой усиления, которая характеризуется отдельными усилителями для 8" стекловолоконного вуфера и 1" твитера с шелковым куполом.

студийный монитор, 8-дюймовые активные двух полосныe студийные мониторы ближнего поля 40Hz - 24kHz; LF Amplifier Power: 70W HF Amplifier Power: 70W (цена за пару)

Студийный монитор VM-80. Во-первых, рупор постоянной направленности создает обширное единое пространство для восприятия звука, а его форма помогает формировать естественный звук. Во-вторых, купола вуфера из арамидного волокна, которые на 30 поцентов легче своих собратьев избавляют от нежелательных вибраций, поскольку конструкция ребер фазоинвертора облегчает свободное перемещение воздуха из динамика. В конце концов, высококачественные компоненты приблизят вас к оригинальному источнику.

Активный монитор для создания танцевальной музыки. Динамики S-DJ X, разработанные Pioneer и TAD, воспроизводят точный звук во всем частотном диапазоне. Твитер 1", купольный; Вуфер 8" из арамидного волокна; Частотный диапазон 40 Hz-20 kHz; Звуковое давление 115 dB; Усилитель Биамп Класс AB 160 Вт.

Активный двухполосный студийный монитор среднего поля , (8" вуфер и 1,1" твитер), 38 Hz - 21 kHz, усилители 100/50 Вт)". 123дБ SPL RMS. Подставка IsoAcoustics ISO-L8R200.

Активные эталонные мониторы S-DJ - это наши первые контрольные мониторы, разработанные специально для ди-джеев и продюсеров.

активный 360-ваттный студийный сабвуфер для моно-, стерео- и surround-систем

активный студийный монитор Near Field с независимыми усилителями (2 х 100 Вт, MOSFET) для высокочастотной и низкочастотной секции. 45 Гц-22 кГц (-3 дБ) с активной эквализацией, 101 (116) дБ